Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
https://hdl.handle.net/10495/31007| Título : | The effects of the intense laser field on bound states in GaxIn1−xNyAs1−y/GaAs single quantum well |
| Autor : | Duque Echeverri, Carlos Alberto Ungan, F. Kasapoglu, E. Yesilgul, U. Kasapoğlu, Esin Sökmen, Ismail |
| metadata.dc.subject.*: | Pozos cuánticos Quantum wells Lasers Campo láser Estados ligados |
| Fecha de publicación : | 2011 |
| Editorial : | Springer |
| Resumen : | ABSTRACT: We have investigated the effects of the intense laser field and nitrogen concentration on bound state energy levels in GaxIn1−xNyAs1−y/GaAs quantum well. The results show that both intense laser field and N-incorporation into the GaInNAs have strong influences on carrier localization. We hope that our results can stimulate further investigations of the related physics, as well as device applications of group-III nitrides. |
| metadata.dc.identifier.eissn: | 1434-6036 |
| ISSN : | 1434-6028 |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.1140/epjb/e2011-10902-y |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| DuqueCarlos_2011_EffectsTheIntenseLaser.pdf | Artículo de investigación | 569.94 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons
