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Título : The effect of magnetic field on the impurity binding energy of shallow donor impurities in a Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs quantum well
Autor : Yesilgul, Unal
Ungan, Fatih
Sakiroglu, Serpil
Duque Echeverri, Carlos Alberto
Mora Ramos, Miguel Eduardo
Kasapoglu, Esin
Sari, Huseyin
Sokmen, Ismail
metadata.dc.subject.*: Impurezas
Contamination (technology)
Pozos cuánticos
Quantum wells
Campo magnético
Magnetic field
Nitrógeno
Nitrogen
http://aims.fao.org/aos/agrovoc/c_33982
http://aims.fao.org/aos/agrovoc/c_5192
Fecha de publicación : 2012
Editorial : Springer
Citación : Yesilgul, U., Ungan, F., Sakiroglu, S., Duque Echeverri, C. A., Mora Ramos, M. E., Kasapoglu. E., Sari, H., & Sokmen, I., V. (2012). The effect of magnetic field on the impurity binding energy of shallow donor impurities in a Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs quantum well. Nanoscale Research Letters. 7, 586-590. DOI:10.1186/1556-276X-7-586
Resumen : ABSTRACT: Using a variational approach, we have investigated the effects of the magnetic field, the impurity position, and the nitrogen and indium concentrations on impurity binding energy in a Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs quantum well. Our calculations have revealed the dependence of impurity binding on the applied magnetic field, the impurity position, and the nitrogen and indium concentrations.
metadata.dc.identifier.eissn: 1556-276X
ISSN : 1931-7574
metadata.dc.identifier.doi: 10.1186/1556-276X-7-586
Aparece en las colecciones: Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales

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