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https://hdl.handle.net/10495/8367| Título : | Exciton properties in zincblende InGaN-GaN quantum wells under the effects of intense laser fields |
| Autor : | Duque Jiménez, Carlos Mario Mora Ramos, Miguel Eduardo Duque Echeverri, Carlos Alberto |
| metadata.dc.subject.*: | Excitones Nitruros Pozos cuánticos Quantum wells Campos eléctricos Electric fields Campo láser intenso Excitones |
| Fecha de publicación : | 2012 |
| Editorial : | Springer |
| Citación : | Duque Jiménez, C. A., Mora Ramos, M. E., & Duque Echeverri, C. A. (2012). Exciton properties in zincblende InGaN-GaN quantum wells under the effects of intense laser fields. Nanoscale Research Letters, (7),492-499. DOI:10.1186/1556-276X-7-492 |
| Resumen : | ABSTRACT: In this work, we study the exciton states in a zincblende InGaN/GaN quantum well using a variational technique. The system is considered under the action of intense laser fields with the incorporation of a direct current electric field as an additional external probe. The effects of these external influences as well as of the changes in the geometry of the heterostructure on the exciton binding energy are discussed in detail. |
| metadata.dc.identifier.eissn: | 1556-276X |
| ISSN : | 1931-7572 |
| metadata.dc.identifier.doi: | 10.1186/1556-276X-7-492 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales |
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