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Título : Donor impurity-related optical absorption in GaAs elliptic-shaped quantum dots
Autor : Londoño Arboleda, Mauricio Alejandro
Restrepo Arango, Ricardo León
Ojeda Silva, Judith Helena
Vinh Phuc, Huynh
Mora Ramos, Miguel Eduardo
Kasapoglu, E.
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
metadata.dc.subject.*: Banda de conducción
Conduction band
Electrones
Electrons
Campos eléctricos
Electric fields
Función ondulatoria
Wave function
Absorción óptica
Puntos cuánticos
GaAs
Fecha de publicación : 2017
Editorial : Hindawi Publishing Corporation
Citación : Londoño Arboleda, M. A., Restrepo Arango, R. L., Ojeda Silva, J. H., Vinh Phuc, H., Mora Ramos, M. E., Kasapoglu, E., Morales Aramburo, A. L., & Duque Echeverri, C. A. (2017). Donor impurity-related optical absorption in GaAs elliptic-shaped quantum dots. Journal of Nanomaterials, (2017), 1-19. https://doi.org/10.1155/2017/5970540
Resumen : ABSTRACT: The conduction band and electron-donor impurity states in elliptic-shaped GaAs quantum dots under the effect of an externally applied electric field are calculated within the effective mass and adiabatic approximations using two different numerical approaches: a spectral scheme and the finite element method. The resulting energies and wave functions become the basic information needed to evaluate the interstate optical absorption in the system, which is reported as a function of the geometry, the electric field strength, and the temperature.
metadata.dc.identifier.eissn: 1687-4129
ISSN : 1687-4110
metadata.dc.identifier.doi: https://doi.org/10.1155/2017/5970540
Aparece en las colecciones: Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales

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