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https://hdl.handle.net/10495/13106| Título : | Donor impurity-related optical absorption in GaAs elliptic-shaped quantum dots |
| Autor : | Londoño Arboleda, Mauricio Alejandro Restrepo Arango, Ricardo León Ojeda Silva, Judith Helena Vinh Phuc, Huynh Mora Ramos, Miguel Eduardo Kasapoglu, E. Morales Aramburo, Álvaro Luis Duque Echeverri, Carlos Alberto |
| metadata.dc.subject.*: | Banda de conducción Conduction band Electrones Electrons Campos eléctricos Electric fields Función ondulatoria Wave function Absorción óptica Puntos cuánticos GaAs |
| Fecha de publicación : | 2017 |
| Editorial : | Hindawi Publishing Corporation |
| Citación : | Londoño Arboleda, M. A., Restrepo Arango, R. L., Ojeda Silva, J. H., Vinh Phuc, H., Mora Ramos, M. E., Kasapoglu, E., Morales Aramburo, A. L., & Duque Echeverri, C. A. (2017). Donor impurity-related optical absorption in GaAs elliptic-shaped quantum dots. Journal of Nanomaterials, (2017), 1-19. https://doi.org/10.1155/2017/5970540 |
| Resumen : | ABSTRACT: The conduction band and electron-donor impurity states in elliptic-shaped GaAs quantum dots under the effect of an externally applied electric field are calculated within the effective mass and adiabatic approximations using two different numerical approaches: a spectral scheme and the finite element method. The resulting energies and wave functions become the basic information needed to evaluate the interstate optical absorption in the system, which is reported as a function of the geometry, the electric field strength, and the temperature. |
| metadata.dc.identifier.eissn: | 1687-4129 |
| ISSN : | 1687-4110 |
| metadata.dc.identifier.doi: | https://doi.org/10.1155/2017/5970540 |
| Aparece en las colecciones: | Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| DuqueCarlos_2017_DonorImpurityRelated.pdf | Artículo de investigación | 5.12 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
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