1. Repositorio Institucional Universidad de Antioquia
  2. Investigaciones
  3. CIEN (Centro de Investigaciones en Ciencias Exactas y Naturales)
  4. Artículos de Revista en Ciencias Exactas y Naturales
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorYesilgul, Unal-
dc.contributor.authorUngan, Fatih-
dc.contributor.authorDuque Echeverri, Carlos Alberto-
dc.contributor.authorKasapoglu, Esin-
dc.contributor.authorSari, H.-
dc.contributor.authorSokmen, Ismail-
dc.date.accessioned2020-01-14T03:42:21Z-
dc.date.available2020-01-14T03:42:21Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationS. Sakiroglu, U. Yesilgul, F. Ungan, C.A. Duque-Echeverri, E. Kasapoglu, H. Sari, and I. Sokmen, “Electronic band structure of GaAs/AlxGa1−xAs superlattice in an intense laser field,” Elsevier, vol. 132, no. 6, pp. 1584-1588, 2012. http://doi.org/10.1016/j.jlumin.2012.01.060spa
dc.identifier.issn0022-2313-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10495/13127-
dc.description.abstractABSTRACT: We perform theoretical calculations for the band structure of semiconductor superlattice under intense high-frequency laser field. In the frame of the non-perturbative approach, the laser effects are included via laser-dressed potential. Results reveal that an intense laser field creates an additional geometric confinement on the electronic states. Numerical results show that when tuning the strength of the laser field significant changes come in the electronic energy levels and density of states.spa
dc.format.extent4spa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isoengspa
dc.publisherElsevierspa
dc.type.hasversioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersionspa
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia*
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessspa
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/co/*
dc.subjectIntense laser fields-
dc.subjectLaser-dressed potential-
dc.subjectSuperlattices-
dc.subjectIntensidad del campo del láser-
dc.titleElectronic band structure of GaAs/AlxGa1−xAs superlattice in an intense laser fieldspa
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlespa
dc.publisher.groupGrupo de Materia Condensada-UdeAspa
dc.identifier.doi10.1016/j.jlumin.2012.01.060-
oaire.versionhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a86spa
dc.rights.accessrightshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2spa
dc.identifier.eissn1872-7883-
oaire.citationtitleJournal of Luminescencespa
oaire.citationstartpage1584spa
oaire.citationendpage1588spa
oaire.citationvolume132spa
oaire.citationissue6spa
dc.rights.creativecommonshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/spa
dc.publisher.placeÁmsterdam, Países Bajosspa
dc.type.coarhttp://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1spa
dc.type.redcolhttps://purl.org/redcol/resource_type/ARTspa
dc.type.localArtículo de investigaciónspa
dc.description.researchgroupidCOL0033319spa
dc.relation.ispartofjournalabbrevJ. Lumin.spa
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